שאלות נפוצות

מידע על Cluster PVD Solutions

מהן Cluster PVD solutions של PicoTech?

Cluster PVD solutions הן מערכות שיקוע פיזי (Physical Vapor Deposition) אוטומטיות לחלוטין, המיועדות לייצור ולמחקר ופיתוח. הן כוללות טכנולוגיות PVD, PVD מיונן, Soft Etch ו-PECVD, ומאפשרות שיקוע אחיד במיוחד עם תפוקה גבוהה.

לאילו סוגי מצעים (סובסטרטים) מתאימות מערכות Cluster PVD?

המערכות מתאימות למצעים בגדלים 2", 3", 4", 5", 6", 200mm ו-300mm, וכן למצעים בצורות מותאמות אישית, עם טעינה אוטומטית של הסובסטרטים.

מה היתרון המרכזי של Cluster PVD solutions?

היתרון המרכזי הוא אחידות גבוהה מאוד של הציפויים יחד עם תפוקה גבוהה, המאפשרת שיקוע איכותי ויעיל לייצור המוני ולמחקר.

אילו יישומים טיפוסיים יש למערכות Cluster PVD?

המערכות מתאימות ליישומים כגון BAW/SAW (שיקוע שכבות AlN, AlScN, ZnO ועוד), wafer level packaging (UBM/RDL, passives, TSV), metallization אחורי, LED, wireless, thin film heads, MEMS, התקנים פסיביים משולבים, IC interconnects ועוד.

מהי תפוקת השיקוע של מערכות Cluster PVD?

מערכות אלו מסוגלות להגיע לתפוקה של עד 60 פרוסות (wafers) בשעה ביישומים של wafer level packaging, ועד 50 פרוסות בשעה ביישומי IC interconnects.

כיצד מתבצע שיקוע אחורי (backside metallization) במערכות Cluster PVD?

המערכות כוללות עיצוב ייחודי לטיפול בפרוסות דקות, עם בקרת מתח, שיקוע של שכבות מתכת (Al-Ti-NiV-Ag, Ti-NiV-Ag/Au, Cr-Ni-Ag/Au ועוד), ופתרון מלא עם pre-etch ו-anneal "in-situ" בתפוקה של 45 פרוסות לשעה.

מהם החומרים שניתן לשקע במערכות Cluster PVD?

ניתן לשקע מגוון רחב של חומרים: AlN, AlScN, ZnO, Ti-Mo, Ti-Pt, Al, Al alloys, W, SiO2, Si3N4, PZT, Ti-Cu, TiW-Cu, TiW-Au, TaN, SiCr, Cu, NiFe, CZT, BST/PZT, Cr, Ni, Pt, NiFe, NiCr, TaN, ITO, TiOxNy, Al2O3, SiC, a-C, ועוד.

האם ניתן לבצע שיקוע על פרוסות דקות במיוחד?

כן, המערכות תומכות בפרוסות דקות מאוד (TAIKO wafers < 50μm), עם טיפול ייעודי למניעת פגמים בצד הקדמי של הפרוסה.

האם יש תמיכה בשיקוע עבור יישומי MEMS?

כן, המערכות גמישות ומאפשרות תמיכה מלאה בתהליכים עבור MEMS, כולל חומרים כמו Ni, Pt, NiFe, NiCr, SiCr, TaN, ITO, TiOxNy, SiC, AlN, SiO2, Al2O3, TiO2, TiC, Ta2O5, Si3N4, PZT.

האם ניתן לבצע שיקוע של שכבות מגנטיות?

כן, ניתן לשקע שכבות מגנטיות כגון NiFe, CoFe, CoNiFe עם יישור מגנטי, וכן לייצר ליבות מגנטיות משולבות עבור קופלרים, סלילים ואינדוקטורים.

האם המערכות מתאימות לשיקוע עבור LED?

כן, המערכות מאפשרות שיקוע שכבת AlN (NanoSmooth™) להתאמת סריג בין wafer ל-GaN, שיקוע מתכות לחסמים, מגעים וחומרים להלחמה, ושכבות פסיבציה כגון SiNx, SiOxNy.

האם יש תמיכה בשיקוע עבור התקנים אלחוטיים?

כן, המערכות תומכות בשיקוע שכבות מגע וחסמים בטמפרטורה נמוכה (TiWAu, AuGe, Ti/TiW(N)-Au, TiW-Al, Cr-Ni-Au, Pt, AuZn, AuSn).

האם ניתן לבצע שיקוע עבור wafer level packaging?

כן, המערכות תומכות ב-UBM/RDL, passives, TSV, עיבוד wafer דק, batch degasser, עיבוד בטמפרטורה נמוכה, ותפוקה של עד 60 פרוסות לשעה.

האם יש תמיכה בשיקוע עבור IC interconnects?

כן, המערכות תומכות בשיקוע רב-שכבתי כולל שכבות חסם, liners, plugs, planarization ו-ARC, עם תפוקה של עד 50 פרוסות לשעה.

האם ניתן לבצע שיקוע של שכבות דיאלקטריות?

כן, ניתן לשקע שכבות דיאלקטריות כגון Al2O3, AlN, SiO2, SiC, a-C, TiO2, Ta2O5, Si3N4, PZT ועוד.

האם יש תמיכה בשיקוע עבור התקנים פסיביים משולבים?

כן, ניתן לשקע נגדים עם TCR נמוך (TaN, NiCr, SiCr), ליבות מגנטיות משולבות עבור סלילים ואינדוקטורים.

האם יש אפשרות לעיבוד wafer דק?

כן, המערכות כוללות פתרונות לעיבוד wafer דק על גבי carriers או TAIKO wafers, עם בקרת מתח ופתרון מלא לעיבוד ללא פגמים.

האם ניתן לבצע שיקוע עבור TSV (Through Silicon Via)?

כן, המערכות תומכות ב-TSV עם יחס גובה/רוחב (AR) עד 15, כולל עיבוד batch degasser ו-low temperature processing.

תכונות ויכולות כלליות של PicoTech

אילו טכנולוגיות לשיקוע שכבות דקות PicoTech מציעה?

PicoTech מציעה מגוון טכנולוגיות: Sputter, אידוי תרמי, אידוי באמצעות קרן אלקטרונים (E-beam), IBD, ALD, DLC, ציפויים לאופטיקה מדויקת, Indium Bumps, CVD לגרפן וחומרים דו-ממדיים, ומקורות יונים של KRI.

מהם היתרונות המרכזיים של פתרונות PicoTech?

היתרונות המרכזיים: דיוק גבוה, אמינות, התאמה אישית, scalability, תמיכה במגוון רחב של יישומים, שיפור איכות המוצר, הפחתת פגמים, יעילות גבוהה, ותמיכה במחקר ופיתוח לצד ייצור המוני.

אילו בעיות מרכזיות פתרונות PicoTech פותרים?

הפתרונות פותרים בעיות של שיקוע אחיד, עיבוד wafer דק, שיקוע חומרים מגוונים, בקרת מתח, עיבוד wafer level packaging, TSV, MEMS, LED, wireless, thin film heads, IC interconnects, התקנים פסיביים משולבים ועוד.

מי קהל היעד של פתרונות PicoTech?

הקהל כולל מהנדסים, חוקרים, מדענים ומנהלים טכניים בתחומי סמיקונדקטור, MEMS, PCB, מדעי החומרים, מדעי החיים, ומוסדות מחקר ופיתוח.

אילו תעשיות נהנות מפתרונות PicoTech?

התעשיות כוללות סמיקונדקטור, ננוטכנולוגיה, מדעי החומרים, מדעי החיים, PCB, פוטוניקה, MEMS, מחקר ופיתוח, רכב, אנרגיה, גיאולוגיה, נפט וגז.

מי מהלקוחות של PicoTech?

PicoTech עובדת עם כל האוניברסיטאות ומוסדות המחקר בישראל, יצרני סמיקונדקטור, יצרני ננוטכנולוגיה, ועם רוב המפעלים התעשייתיים בישראל. למידע נוסף: עמוד הלקוחות.

מה ההשפעה העסקית של שימוש בפתרונות PicoTech?

השימוש בפתרונות PicoTech מוביל לדיוק ואמינות גבוהים, scalability, יעילות תפעולית, האצת חדשנות, תמיכה במגוון רחב של יישומים, שיפור איכות המוצר, הפחתת פגמים, והגדלת רווחיות.

אילו כאבים מרכזיים מביעים לקוחות PicoTech?

לקוחות מביעים קשיים בשיקוע אחיד, עיבוד wafer דק, בקרת מתח, שיקוע חומרים מגוונים, האצת מחקר ופיתוח, התאמת פתרונות לייצור המוני ולמחקר.

מהו הייעוד המרכזי של מוצרי PicoTech?

הייעוד המרכזי הוא לספק פתרונות מתקדמים לשיקוע שכבות דקות, ציוד אנליטי ומיקרוסקופיה, המותאמים לתעשיות סמיקונדקטור, מדעי החומרים, מחקר ופיתוח, MEMS, PCB, מדעי החיים ועוד.

האם פתרונות PicoTech מתאימים גם למחקר וגם לייצור?

כן, הפתרונות מותאמים למחקר ופיתוח (R&D) ולייצור סדרתי, עם scalability והתאמה אישית לפי דרישות הלקוח.

האם PicoTech מספקת פתרונות אוטומציה?

כן, PicoTech מספקת פתרונות אוטומציה מלאים לתהליכי שיקוע שכבות דקות, כולל מערכות אשכול (Cluster), טעינה אוטומטית, עיבוד batch, ויכולת עיבוד wafer דק.

האם PicoTech מספקת פתרונות לחומרים מתקדמים?

כן, PicoTech מספקת פתרונות לשיקוע גרפן, CNT, חומרים דו-ממדיים, Parylene, וחומרים לציפויים אופטיים.

האם PicoTech מספקת פתרונות לשיקוע שכבות אטומיות (ALD)?

כן, PicoTech מספקת מערכות ALD תרמי, ALD מבוסס פלזמה (PEALD), ומערכות ALD לייצור סדרתי (Batch).
Login
Contact Us

Cluster PVD solutions

PicoTech offers a wide range of Fully-Automatic Cluster Physical Vapor Deposition (PVD) solutions for Production and R&D: PVD, highly ionized PVD, Soft Etch and PECVD process technologies.

These physical vapor deposition tools are suitable for substrates of 2”, 3”, 4”, 5”, 6”, 200mm and 300mm wafers and custom shape substrates with automated substrate loading. The main highlight is extremely high uniformity of coatings together with high throughput.

 

Typical applications are:

1. BAW/SAW — Extremely uniform and smooth piezoelectric AlN layers with high degree of crystalline orientation at controlled levels of stress for resonators, reflectors and electrodes, e.g. AlN, AlScN, ZnO, Ti-Mo, Ti-Pt, Al, Al alloys, W, SiO2 , Si3 N4 , PZT.

2. WAFER LEVEL PACKAGING — UBM/RDL for WLP production solutions, e.g. Ti-Cu, TiW-Cu, TiW-Au, TiW(N)-Au,TiNiV-Cu, Al-NiV-Cu at throughputs up to 60 wafers/hour — Integrated Passives: TaN, SiCr resistors, Cu coils, NiFe, CZT, laminated magnetic cores, BST/ PZT capacitors — 3D/TSV (Through Silicon Via) with AR up to 15 — Organic/mold substrates (Fanout, InFo) with batch degasser and low temperature processing — Thin wafer processing on carriers or TAIKO wafers

3. BACKSIDE METALLIZATION & THIN WAFER PROCESSING — Wafer handling design assures defect-free front side — Bare wafers, thin wafers on carriers or TAIKO wafers < 50μm — Stress control, e.g Al-Ti-NiV-Ag, Ti- NiV-Ag/ Au, Cr-Ni-Ag/Au, AuAs-Ag-NiV-AuGe — Complete solution with “in-situ” pre-etch and contact anneal at 45 wafers/hour

4. LED — Lattice matching AlN layer (NanoSmooth™) between wafer and GaN — Metal deposition for barrier, contacts and solder materials — Passivation layers e.g. SiNx , SiOx Ny

5. WIRELESS — Active compound semiconductor devices — Low temperature backside via metallization of contact layers & barriers e.g. TiWAu, AuGe, Ti/TiW(N)-Au, TiW-Al, stress optimized Cr-Ni- Au, Pt, AuZn, AuSn

6. THIN FILM HEADS — Dielectric layers, Al2 O3 , AlN, SiO2 , SiC, a-C — Conductive seed layers, Cr, Cu, Ta, TaN, W, Ru — NiFe, CoFe, CoNiFe with magnetic alignment

7. MEMS — System flexibility enables full process support for niche applications including sensors and biomedical applications, e.g. Ni, Pt, NiFe, NiCr, SiCr, TaN, ITO, TiOx Ny and dielectrics SiC, AlN, SiO2 , Al2 O3 , TiO2 , TiC, Ta2 O5 , Si3 N4 , PZT

8. INTEGRATED PASSIVE DEVICES — Resistors with low TCR, e.g. TaN, NiCr, SiCr — Laminated magnetic cores for couplers, coils and inductors

9. IC INTERCONNECTS — Multi-level metallizations including barrier layers, liners, plugs, planarization and ARC, e.g.Ti-TiN, Ti-Al alloy, TiN — Throughput up to 50 wafers/hour (Aligndegas- etch- 30nm Ti- 500nm Al- 150nm ARC TiN- cool)